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1N4005E-E3/73

1N4005E-E3/73

僅供參考

型號 1N4005E-E3/73
PNEDA編號 1N4005E-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4005E-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4005E-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4005E-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.68V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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80V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

500pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

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反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 600V

電容@ Vr,F

219pF @ 1V, 1MHz

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