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1N4150W-E3-18

1N4150W-E3-18

僅供參考

型號 1N4150W-E3-18
PNEDA編號 1N4150W-E3-18
描述 DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4150W-E3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4150W-E3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4150W-E3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F2.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

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90V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

420mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

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安裝類型

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