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1N4150W-G3-08

1N4150W-G3-08

僅供參考

型號 1N4150W-G3-08
PNEDA編號 1N4150W-G3-08
描述 DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 12 - 一月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4150W-G3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4150W-G3-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4150W-G3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F2.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 30V

電容@ Vr,F

125pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Powermite 1 (DO216-AA)

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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