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1N4151W-HE3-18

1N4151W-HE3-18

僅供參考

型號 1N4151W-HE3-18
PNEDA編號 1N4151W-HE3-18
描述 DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4151W-HE3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4151W-HE3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4151W-HE3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 50mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 40V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 35V

電容@ Vr,F

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

電容@ Vr,F

550pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

SMC

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.12V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB (D²PAK)

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