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1N4151WS-G3-18

1N4151WS-G3-18

僅供參考

型號 1N4151WS-G3-18
PNEDA編號 1N4151WS-G3-18
描述 DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4151WS-G3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4151WS-G3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4151WS-G3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 50mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123F

供應商設備包裝

PMDU

工作溫度-結點

150°C (Max)

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (HSMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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系列

*

二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 1A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

80pF @ 0V, 1MHz

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