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1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

僅供參考

型號 1N4448TR_S00Z
PNEDA編號 1N4448TR_S00Z
描述 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4448TR_S00Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4448TR_S00Z
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4448TR_S00Z, 1N4448TR_S00Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 151.13 KB)
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1N4448TR_S00Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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