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1N4779A

1N4779A

僅供參考

型號 1N4779A
PNEDA編號 1N4779A
描述 DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4779A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4779A
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N4779A規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)8.5V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)200 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SC-70

SMBJ4739AE3/TR13

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

9.1V

公差

±5%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

24.2V

公差

±5.78%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 18V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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公差

±2%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

3 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 4.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC

SMBG5385B/TR13

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

170V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

380 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 122V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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