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1N5060GP-E3/73

1N5060GP-E3/73

僅供參考

型號 1N5060GP-E3/73
PNEDA編號 1N5060GP-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5060GP-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5060GP-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5060GP-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-204AC (DO-15)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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120V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 15V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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