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1N5062TAP

1N5062TAP

僅供參考

型號 1N5062TAP
PNEDA編號 1N5062TAP
描述 DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 202,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5062TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5062TAP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5062TAP, 1N5062TAP數據表 (總頁數: 4, 大小: 135.63 KB)
PDF1N5061TAP數據表 封面
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1N5062TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 800V
電容@ Vr,F40pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-57, Axial
供應商設備包裝SOD-57
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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GeneSiC Semiconductor

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 110A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-5

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