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1N5196UR

1N5196UR

僅供參考

型號 1N5196UR
PNEDA編號 1N5196UR
描述 DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5196UR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5196UR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5196UR規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)225V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25nA @ 225V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Semtech Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

24000V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

24V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 24000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

MBRB7H35HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

SE12DB-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 100V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

供應商設備包裝

TO-263AC (SMPD)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

RB160VYM-60FHTR

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6.65ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, Flat Lead

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

150°C (Max)

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GeneSiC Semiconductor

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-205AA, DO-8, Stud

供應商設備包裝

DO-205AA (DO-8)

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

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