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1N5226C-TAP

1N5226C-TAP

僅供參考

型號 1N5226C-TAP
PNEDA編號 1N5226C-TAP
描述 DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5226C-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5226C-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5226C-TAP, 1N5226C-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 94.8 KB)
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1N5226C-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.3V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)28 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 30.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

2.65V

公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

12V

公差

±2%

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 15.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

25.8V

公差

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功率-最大

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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