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1N5230B-TR

1N5230B-TR

僅供參考

型號 1N5230B-TR
PNEDA編號 1N5230B-TR
描述 DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 224,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5230B-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5230B-TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5230B-TR, 1N5230B-TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 94.8 KB)
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1N5230B-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)4.7V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)19 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

±2%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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SOD-123

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

7.5V

公差

±2%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

30V

公差

±10%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 22.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

25 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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公差

±5%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

95 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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Surface Mount

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