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1N5231B-TR

1N5231B-TR

僅供參考

型號 1N5231B-TR
PNEDA編號 1N5231B-TR
描述 DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.5665
500 ---------- $0.5400
1,000 ---------- $0.5134
2,500 ---------- $0.4869
5,000 ---------- $0.4647
10,000 ---------- $0.4426
庫存 66,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5231B-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5231B-TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5231B-TR, 1N5231B-TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 94.8 KB)
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1N5231B-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)5.1V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)17 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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阻抗(最大值)(閽zt)

330 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 62V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

125 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 83.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

91V

公差

±5%

功率-最大

1.3W

阻抗(最大值)(閽zt)

250 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 68V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

4.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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功率-最大

1.3W

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

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1µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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