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1N5236BDO35E3

1N5236BDO35E3

僅供參考

型號 1N5236BDO35E3
PNEDA編號 1N5236BDO35E3
描述 DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5236BDO35E3資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5236BDO35E3
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N5236BDO35E3規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)7.5V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)6 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 6V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

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功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.7V

公差

±1.91%

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

13 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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DO-214AC (SMA)

SML4757HE3/61

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

51V

公差

±10%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

95 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 38.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

MMBZ5266B-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

68V

公差

±5%

功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

230 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 52V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

JANTXV1N4135CUR-1

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

100V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.6 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 76V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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