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1N5242B-TAP

1N5242B-TAP

僅供參考

型號 1N5242B-TAP
PNEDA編號 1N5242B-TAP
描述 DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $2.9166
250 ---------- $2.7799
500 ---------- $2.6432
1,000 ---------- $2.5065
2,500 ---------- $2.3925
5,000 ---------- $2.2786
庫存 2,125
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5242B-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5242B-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5242B-TAP, 1N5242B-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 94.8 KB)
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1N5242B-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 9.1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 15V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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公差

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功率-最大

150mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3.3V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 62.2V

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