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1N5272B TR

1N5272B TR

僅供參考

型號 1N5272B TR
PNEDA編號 1N5272B-TR
描述 DIODE ZENER 110V 500MW DO35
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5272B TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5272B TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5272B TR, 1N5272B TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 494.58 KB)
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1N5272B TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)110V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)750 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 84V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 110V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

12V

公差

±10%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

11.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

21 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 14V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

35 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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