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1N5282

1N5282

僅供參考

型號 1N5282
PNEDA編號 1N5282
描述 DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5282資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5282
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5282規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 55V
電容@ Vr,F2.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

740mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

SMC

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-220AA (SMP)

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

400mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 400mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 30V

電容@ Vr,F

20pF @ 25V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 78A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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