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1N5335E3/TR13

1N5335E3/TR13

僅供參考

型號 1N5335E3/TR13
PNEDA編號 1N5335E3-TR13
描述 DIODE ZENER 3.9V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5335E3/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5335E3/TR13
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N5335E3/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3.9V
公差±20%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)2 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 19V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

150V

公差

±5%

功率-最大

50W

阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 114V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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