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1N5357E3/TR8

1N5357E3/TR8

僅供參考

型號 1N5357E3/TR8
PNEDA編號 1N5357E3-TR8
描述 DIODE ZENER 20V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5357E3/TR8資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5357E3/TR8
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5357E3/TR8, 1N5357E3/TR8數據表 (總頁數: 3, 大小: 150.89 KB)
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1N5357E3/TR8規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)20V
公差±20%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)3 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 14.4V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

160 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 62.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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Taiwan Semiconductor Corporation

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200V

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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阻抗(最大值)(閽zt)

23 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

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