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1N5365E3/TR8

1N5365E3/TR8

僅供參考

型號 1N5365E3/TR8
PNEDA編號 1N5365E3-TR8
描述 DIODE ZENER 36V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5365E3/TR8資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5365E3/TR8
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5365E3/TR8, 1N5365E3/TR8數據表 (總頁數: 3, 大小: 150.89 KB)
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1N5365E3/TR8規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)36V
公差±20%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)11 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 25.9V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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包裝/箱

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制造商

Microsemi Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

200V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

13V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 9.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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制造商

Comchip Technology

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

27V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

41 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

13.25V

公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 10V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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