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1N5386AE3/TR12

1N5386AE3/TR12

僅供參考

型號 1N5386AE3/TR12
PNEDA編號 1N5386AE3-TR12
描述 DIODE ZENER 180V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5386AE3/TR12資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5386AE3/TR12
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N5386AE3/TR12規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)180V
公差±10%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)430 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 130V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 8.14V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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制造商

Microsemi Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

13V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 11.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

43V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

900 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 33V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/435

電壓-齊納(額定)(Vz)

33V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 25.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 15V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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