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1N5386C/TR8

1N5386C/TR8

僅供參考

型號 1N5386C/TR8
PNEDA編號 1N5386C-TR8
描述 DIODE ZENER 180V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5386C/TR8資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5386C/TR8
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5386C/TR8, 1N5386C/TR8數據表 (總頁數: 3, 大小: 150.89 KB)
PDF1N5388E3/TR8數據表 封面
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1N5386C/TR8規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)180V
公差±2%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)430 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 130V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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阻抗(最大值)(閽zt)

600 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 114V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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±3%

功率-最大

150mW

阻抗(最大值)(閽zt)

22 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

±1%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

9 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 12V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SQ-MELF, A

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±3%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

62V

公差

±5%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 47.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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