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1N5387E3/TR13

1N5387E3/TR13

僅供參考

型號 1N5387E3/TR13
PNEDA編號 1N5387E3-TR13
描述 DIODE ZENER 190V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5387E3/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5387E3/TR13
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N5387E3/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)190V
公差±20%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)450 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 137V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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17.95V

公差

±6.4%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 13V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/124

電壓-齊納(額定)(Vz)

200V

公差

±5%

功率-最大

10W

阻抗(最大值)(閽zt)

300 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 152V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 2A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-213AA (DO-4)

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

6.8V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

Axial

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3.3V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-41

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

28V

公差

±3%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 23V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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