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1N5391-E3/54

1N5391-E3/54

僅供參考

型號 1N5391-E3/54
PNEDA編號 1N5391-E3-54
描述 DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5391-E3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5391-E3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5391-E3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 30V

電容@ Vr,F

20pF @ 25V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

0.55V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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