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1N5399S-T

1N5399S-T

僅供參考

型號 1N5399S-T
PNEDA編號 1N5399S-T
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5399S-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5399S-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5399S-T, 1N5399S-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 52.63 KB)
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1N5399S-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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1000V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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400V

電流-平均整流(Io)

165A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

22mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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