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1N5404G-T

1N5404G-T

僅供參考

型號 1N5404G-T
PNEDA編號 1N5404G-T
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 23,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5404G-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5404G-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5404G-T, 1N5404G-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 63.46 KB)
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1N5404G-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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780mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

38pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 40V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 20V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 800V

電容@ Vr,F

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