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1N5530B (DO35)

1N5530B (DO35)

僅供參考

型號 1N5530B (DO35)
PNEDA編號 1N5530B-DO35
描述 DIODE ZENER 10V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5530B (DO35)資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5530B (DO35)
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N5530B (DO35)規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)10V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)60 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 9.1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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110V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

450 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 83.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

9.1V

公差

±1%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 6.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E, Axial

供應商設備包裝

E, Axial

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

180V

公差

±10%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

2.2 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 130V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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公差

±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 120V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

91V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 65.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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