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1N5616

1N5616

僅供參考

型號 1N5616
PNEDA編號 1N5616
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5616資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5616
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5616規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱A, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 60V

電容@ Vr,F

60pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

300mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

8ns

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 20V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 15mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

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