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1N5616C.TR

1N5616C.TR

僅供參考

型號 1N5616C.TR
PNEDA編號 1N5616C-TR
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
制造商 Semtech
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5616C.TR資源

品牌 Semtech
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5616C.TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5616C.TR規格

制造商Semtech Corporation
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 400V
電容@ Vr,F23pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱Axial
供應商設備包裝Axial
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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DO-35

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

43ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-262AA

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

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二極管類型

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125V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 300mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3nA @ 125V

電容@ Vr,F

6pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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