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1N5619GP-E3/73

1N5619GP-E3/73

僅供參考

型號 1N5619GP-E3/73
PNEDA編號 1N5619GP-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5619GP-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5619GP-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5619GP-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 600V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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800V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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