1N5619US
僅供參考
| 型號 | 1N5619US |
| PNEDA編號 | 1N5619US |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A |
| 制造商 | Microsemi |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,876 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸) |
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1N5619US規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | - |
| 二極管類型 | Standard |
| 電壓-直流反向（Vr）（最大值） | 600V |
| 電流-平均整流（Io） | 1A |
| 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 | 1.6V @ 3A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 反向恢復時間（trr） | 250ns |
| 當前-反向泄漏@ Vr | 500nA @ 600V |
| 電容@ Vr，F | 25pF @ 12V, 1MHz |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | SQ-MELF, A |
| 供應商設備包裝 | D-5A |
| 工作溫度-結點 | -65°C ~ 175°C |
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