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1N5755C

1N5755C

僅供參考

型號 1N5755C
PNEDA編號 1N5755C
描述 DIODE ZENER 62V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5755C資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5755C
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N5755C規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)62V
公差±1%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)215 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 43V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 17V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

13 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

3.5µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

1.6 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

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安裝類型

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 69V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

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