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1N5806US

1N5806US

僅供參考

型號 1N5806US
PNEDA編號 1N5806US
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $68.5752
50 ---------- $65.3608
100 ---------- $62.1463
200 ---------- $58.9318
400 ---------- $56.2531
500 ---------- $53.5744
庫存 7,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5806US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5806US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5806US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 150V
電容@ Vr,F25pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

1.6pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

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75V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

92pF @ 5V, 1MHz

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