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1N5806US/TR

1N5806US/TR

僅供參考

型號 1N5806US/TR
PNEDA編號 1N5806US-TR
描述 UFR,FRR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5806US/TR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5806US/TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5806US/TR規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果975mV @ 2.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 150V
電容@ Vr,F25pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.7V @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

355ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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1200V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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