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1N5809US.TR

1N5809US.TR

僅供參考

型號 1N5809US.TR
PNEDA編號 1N5809US-TR
描述 DIODE GEN PURP 100V 6A
制造商 Semtech
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5809US.TR資源

品牌 Semtech
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5809US.TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5809US.TR規格

制造商Semtech Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F60pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

37pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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