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1N5812

1N5812

僅供參考

型號 1N5812
PNEDA編號 1N5812
描述 DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5812資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5812
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5812規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)15ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F300pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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975mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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300V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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