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1N5817 A0G

1N5817 A0G

僅供參考

型號 1N5817 A0G
PNEDA編號 1N5817-A0G
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5817 A0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5817 A0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5817 A0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果450mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
電容@ Vr,F55pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 500mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-80

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

900µA @ 60V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

DO-220AA (SMP)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

525mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AA, DO-27, Axial

供應商設備包裝

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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11µs

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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