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1N5819 TR

1N5819 TR

僅供參考

型號 1N5819 TR
PNEDA編號 1N5819-TR
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 16 - 一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5819 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5819 TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5819 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 40V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 200V

電容@ Vr,F

1.6pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.8V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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