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1N5821RLG

1N5821RLG

僅供參考

型號 1N5821RLG
PNEDA編號 1N5821RLG
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5821RLG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5821RLG
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5821RLG, 1N5821RLG數據表 (總頁數: 9, 大小: 183.9 KB)
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1N5821RLG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

ITO-220AC

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

VS-8EWF12STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 188A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

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