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1N5826R

1N5826R

僅供參考

型號 1N5826R
PNEDA編號 1N5826R
描述 DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5826R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5826R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5826R, 1N5826R數據表 (總頁數: 3, 大小: 708.84 KB)
PDF1N5828R數據表 封面
1N5828R數據表 頁面 2 1N5828R數據表 頁面 3

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1N5826R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果440mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

16pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 430V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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