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1N5831R

1N5831R

僅供參考

型號 1N5831R
PNEDA編號 1N5831R
描述 DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5831R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5831R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5831R, 1N5831R數據表 (總頁數: 3, 大小: 766.63 KB)
PDF1N5831R數據表 封面
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1N5831R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 25A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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