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1N5832R

1N5832R

僅供參考

型號 1N5832R
PNEDA編號 1N5832R
描述 DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5832R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5832R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5832R, 1N5832R數據表 (總頁數: 3, 大小: 637.92 KB)
PDF1N5834R數據表 封面
1N5834R數據表 頁面 2 1N5834R數據表 頁面 3

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1N5832R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)40A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果520mV @ 40A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20mA @ 10V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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215mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

70mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.92V @ 3mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 6V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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300V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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200V

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950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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