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1N6006B

1N6006B

僅供參考

型號 1N6006B
PNEDA編號 1N6006B
描述 DIODE ZENER 18V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6006B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6006B
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N6006B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)18V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)42 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 14V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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2.4V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

B, SQ-MELF

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3.6V

公差

±5%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

9 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

SMB

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

62V

公差

±2%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

125 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 47.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

11V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 8.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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公差

±2%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

3 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 13.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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