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1N6079US

1N6079US

僅供參考

型號 1N6079US
PNEDA編號 1N6079US
描述 DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6079US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6079US
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N6079US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 37.7A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, G
供應商設備包裝G-MELF (D-5C)
工作溫度-結點-65°C ~ 155°C

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50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

SMB

工作溫度-結點

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FFB20U60STM

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制造商

ON Semiconductor

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D²PAK

工作溫度-結點

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Micro Commercial Co

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

DO-214AA, SMB

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