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1N6081US

1N6081US

僅供參考

型號 1N6081US
PNEDA編號 1N6081US
描述 DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6081US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6081US
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N6081US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 37.7A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, G
供應商設備包裝G-MELF (D-5C)
工作溫度-結點-65°C ~ 155°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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制造商

STMicroelectronics

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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DO-201AD

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2400V

電流-平均整流(Io)

600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.19V @ 1800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 2400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

POW-R-BLOK™ Module

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

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