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1N6311US

1N6311US

僅供參考

型號 1N6311US
PNEDA編號 1N6311US
描述 DIODE ZENER 3V 500MW B-SQ MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6311US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6311US
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N6311US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)29 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝B, SQ-MELF

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公差

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阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 6.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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安裝類型

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

5.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 8.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

400 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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公差

±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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阻抗(最大值)(閽zt)

1.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1.2mA @ 5.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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