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1N6352US

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僅供參考

型號 1N6352US
PNEDA編號 1N6352US
描述 ZENER DIODE
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6352US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6352US
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N6352US規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
電壓-齊納(額定)(Vz)-
公差-
功率-最大-
阻抗(最大值)(閽zt)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-齊納(額定)(Vz)

16.2V

公差

±5.6%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 11.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

SOD-123

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

2.8V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

27 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 36.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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