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1N645UR-1

1N645UR-1

僅供參考

型號 1N645UR-1
PNEDA編號 1N645UR-1
描述 DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N645UR-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N645UR-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N645UR-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)225V
電流-平均整流(Io)400mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 400mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 225V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA
供應商設備包裝DO-213AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

Axial

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 30V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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