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1N6621US

1N6621US

僅供參考

型號 1N6621US
PNEDA編號 1N6621US
描述 DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $159.4839
50 ---------- $152.0081
100 ---------- $144.5323
200 ---------- $137.0565
400 ---------- $130.8266
500 ---------- $124.5968
庫存 1,435
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6621US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6621US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N6621US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)440V
電流-平均整流(Io)1.2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 440V
電容@ Vr,F10pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝A-MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

420mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

200pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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60V

電流-平均整流(Io)

2.1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

710mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23

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3000V

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250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 250mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3000V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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