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1N6626US

1N6626US

僅供參考

型號 1N6626US
PNEDA編號 1N6626US
描述 DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $137.1689
50 ---------- $130.7391
100 ---------- $124.3093
200 ---------- $117.8795
400 ---------- $112.5214
500 ---------- $107.1632
庫存 9,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6626US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6626US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N6626US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)220V
電流-平均整流(Io)1.75A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 220V
電容@ Vr,F40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝A-MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.9V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

18pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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